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面对NAND供过于求的局面,慧荣如何应对? 慧荣科技总经理Wallace C. Kou认为,2019年NAND Flash 价格下跌,主要是因为原厂3D NAND技术从32层到64层再到96层的发展,每一颗Die容量更高,且晶圆生产良率越来越好,虽然智能端与数据中心对于NAND Flash容量的需求增加,但NAND Flash产出远大于整体需求,因此造成价格的持续下跌。

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展望第 3 季,李培瑛指出,适逢各应用市场旺季来临,英特尔 CPU 供应量也会增加,加上服务器需求,预估市况将逐步平稳,第 3 季市况将再优于第 2 季,至于 DRAM 价格能否止跌,仍得观察市场需求增加幅度、DRAM 大厂库存去化程度而定。

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三星对相关报导进行回应,表示对第二条产线的第二阶段投资额尚未确定,将视市况而定。据悉,三星西安厂主要用于生产3D NAND,曾在2017年宣布,未来三年将对西安厂投资70亿美元,第二阶段投资将于2019年7月份完成,2020年1季度开始投产。但三星现已表明尚未决定对西安厂二期工厂进行额外投资。

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